2 月 16 日音书，据北京大学官方账号昨日共享，该校在非易失性存储器界限赢得突破性发达，电子学院邱朝阳-彭练矛团队初次提倡“纳米栅超低功耗铁电晶体管”，信得过达成了超低功耗下的数据高效存储，联系为止日前发表于《科学 · 发达》。

据先容，铁电晶体管诓骗铁电材料的极化翻转达成数据存储，米兰app官方网站是后摩尔芯片霎候中极具后劲的半导体存储器，受到学术界和业界闲居慈祥，是破解“存储墙”和达成东说念主工智能底层架构修订的要道新时候。

团队通过盘算铁电存储的器件结构，星空app注册登录引入纳米栅极电场集聚增强效应，研制出可在 0.6V 超低电压下使命的铁电晶体管，能耗镌汰至 0.45 fJ/μm。团队还将物理栅长缩减到 1 纳米极限，为国际上迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为构建高性能亚 1 纳米节点芯片和高算力 AI 芯片架构提供了更具后劲的新物理机制存储器件。

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北京大学默示，纳米栅极电场增强效应付优化铁电晶体管的盘算具有普适性相易真义，可膨胀至闲居铁电材料体系。异日通过原子层千里积等范例 CMOS 工艺，有望研发出业界兼容的超低功耗铁电存储芯片。

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现在，基于这项新机理已领先肯求兼容业界 NAND 结构和镶嵌式 SOC 架构的关联专利聚合，酿成具有足够自主常识产权的“纳米栅超低功耗铁电晶体管”结构和工艺时候体系(中国专利：202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3)，将助力我国在新式存储界限松懈海外时候壁垒。

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